薄膜型太陽(yáng)能電池由于使用材料較少,就每一模塊的成本而言比起堆積型太陽(yáng)能電池有 著明顯的減少,制造程序上所需的能量也較堆積型太陽(yáng)能電池來(lái)的小,它同時(shí)也擁有整合型式的連接模塊,如此一來(lái)便可省下了獨(dú)立模塊所需在固定和內(nèi)部連接的成本。未來(lái)薄膜型太陽(yáng)能電池將可能會(huì)取代現(xiàn)今-般常用硅太陽(yáng)能電池 ,而成為市場(chǎng)主流。

       非晶硅太陽(yáng)能電池與單晶硅太陽(yáng)能電池或多晶硅太陽(yáng)能電池的最主要差異是材料的不同,單晶硅太陽(yáng)能電池或多晶硅太陽(yáng)能電池的材料都疏,而非晶硅太陽(yáng)能電池的材料則是SiH4，因?yàn)椴牧系牟煌狗蔷Ч杼?yáng)能電池的構(gòu)造與晶硅太陽(yáng)能電池稍有不同。SiH4最大的優(yōu)點(diǎn)為吸光效果及光導(dǎo)效果都很好,但其電氣特性類(lèi)似絕緣體,與硅的半導(dǎo)體特性相差甚遠(yuǎn),因此最初認(rèn)為SiH4是不適合的材料。但在1970年代科學(xué)家克服了這個(gè)問(wèn)題,不久后美國(guó)的RCA制造出第- 一個(gè)非晶硅太陽(yáng)能電池。

       雖然SiH4吸光效果及光導(dǎo)效果都很好,但由于其結(jié)晶構(gòu)造比多晶硅太陽(yáng)能電池差,所以懸浮鍵的問(wèn)題比多晶硅太陽(yáng)能電池還嚴(yán)重,自由電子與電洞復(fù)合的速率非?？?此外SiH4的結(jié)晶構(gòu)造不規(guī)則會(huì)阻礙電子與電洞的移動(dòng)使得擴(kuò)散范圍變短。基于以上兩個(gè)因素,因此當(dāng)光照射在SiH4.上產(chǎn)生電子電洞對(duì)后, 必須盡快將電子與電洞分離, 才能有效產(chǎn)生光電效應(yīng)。

       所以非晶硅太陽(yáng)能電池大多做得很薄,以減少自由電子與電洞復(fù)合。由于SiH4的吸光效果很好,雖然非晶硅太陽(yáng)能電池做得很薄，仍然可以吸收大部分的光。非晶硅太陽(yáng)能電池最大的優(yōu)點(diǎn)為成本低,而缺點(diǎn)則是效率低及光電轉(zhuǎn)換效率隨使用時(shí)間衰退的問(wèn)題。因此非晶硅太陽(yáng)能電池在小電力市場(chǎng).上被廣泛使用,但在發(fā)電市場(chǎng)上則較不具競(jìng)爭(zhēng)力。