深圳太陽能板廠家-深圳市迪晟能源技術有限公司，詳細敘述非晶硅太陽電池的高效率化

    非晶硅太陽能電池板的發(fā)電層，即I層的膜質量不僅對太陽電池的初期特性有影響，對光衰減特性也有很大影響。I層一般采用a-Si: H，單結太陽電池的太陽光譜靈敏度除涂層吸收的影響外，主要受I層光學的禁帶寬度以及膜厚度的制約。當光學的禁帶寬度一定時，I層越厚，越能有效吸收太陽光;然而I層內電場較弱部分則與載流子的輸送特性降低有關。相反，若厚度越薄，I層整個區(qū)域內都存在強電場，填充因子就會改善，但是通過低光吸收會帶來短路電流下降。由兩者的平衡來決定I層的佳膜厚。

　　非晶硅太陽能電池板形成用的等離子CVD裝置的變遷。開發(fā)起初用的是在較低真空條件下，使半導體層全部在一個反應室內形成的單室方式。 但是，I層中的氧和氮等雜質混入P層和N層的摻雜層等會使a-Si: H膜的膜質量下降。為了降低雜質量，提出使各層在不同反應室成膜的連續(xù)分離形成方式。再進一步，又提出其發(fā)展型，即超高真空型分離形成裝置。這是為了防止各層間的污染，需要使PI-N各層的反應室完全獨立。另外，可以抑制反應室壁的脫氣作用，提高真空度，通過提供的高純度氣體，可能會有效地減少a-Si: H膜中的雜質量，氧和碳約為2X1018原子/cm-3，氮約為1017原子/cm3，與以前的單室方式反應裝置相比，能使雜質大幅度降低10%以上。

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