20世紀70年代初,非晶硅薄膜初由R. C. Chitteck等人通過PECVD沉積獲得。1976年,RCA實驗室的Cave與ChrisWronski制作了效率為2.4%的塊非晶硅薄膜太陽電池。1979年，Usui和Kikuchi宣布,在原有的非晶硅薄膜制備技術基礎上，通過增加氫稀釋度，獲得氫化微晶硅薄膜(nc-Si:H)?，F(xiàn)在，硅薄膜疊層電池已成為硅薄膜電池發(fā)展的重點。1980 年，日本三洋電器公司利用非晶硅電池制成了袖珍計算器。經(jīng)過20世紀80年代的研究開發(fā),非晶硅太陽電池的轉換效率和穩(wěn)定性有了明顯的突破。1988 年，與建筑材料相結合的非晶硅太陽能電池投入應用。

　　20世紀90年代開始，為解決轉換效率和穩(wěn)定性問題，疊層非晶硅太陽電池得到了發(fā)展，1m以下的轉換效率6%左右的非品硅太陽電池組件成為主流。2006年下半年，全球大的半導體設備供應商一美國應用材料( Apply Materias)公同看好光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展，借助在TFT- L.CD產(chǎn)業(yè)主要設備PECVD、PVD的優(yōu)勢,采用8.5代設備進軍薄膜光伏產(chǎn)業(yè)，集成推廣了40MW單結非晶硅太陽電池生產(chǎn)線，使5. 72m光伏組件的轉換效率達到了6%，2008年更是推出了同一組件尺寸的65MW非晶硅/微晶硅疊層太陽電池生產(chǎn)線。目前世界上大的非晶硅電池組件是美國應用材料公司的SunFab生產(chǎn)線生產(chǎn)的8.5代2. 2m x2.6m的非晶硅/微晶硅電池，其轉換效率為8% ,穩(wěn)定功率接近458W。但由于氫化非晶硅合金是一種性能復 雜的半導體材料,許多性質還處于研究階段，相關理論也有待豐富完善。雖然非晶硅太陽電池的研究與發(fā)展成果斐然，但與晶體硅太陽電池相比，無論是材料理論、器件研究,還是工藝，仍處在逐漸成熟的階段。

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