基于以上各種測(cè)試非晶硅太陽電池光致衰減的現(xiàn)象，取適當(dāng)?shù)哪Ｐ陀糜?jì)算機(jī)模擬分析及大量的實(shí)驗(yàn)也得出類似的結(jié)果，其主要結(jié)論有以下幾點(diǎn):

　?、俟庹T導(dǎo)在非晶硅中所產(chǎn)生的缺陷與沉積非晶硅時(shí)所產(chǎn)生的缺陷不同，差別在于前者具有更大的俘獲截面。

　　②在光譜響應(yīng)上， 光由P↑層人射的非晶硅太陽電池( ITO/P-I-N/SS)光誘導(dǎo)效應(yīng)的結(jié)果使長波響應(yīng)下降，而光由N*層人射的非晶硅太陽電池( ITO/N-I-P/SS)光誘導(dǎo)效應(yīng)的結(jié)果使短波響應(yīng)下降。

　　③無論光從P還是N+層人射,載流子收集的損失主要是體復(fù)合所致，而對(duì)上述兩種電池來說，均在N*/I界面具有大的復(fù)合速率。

　　④光誘導(dǎo)效應(yīng)增加了電池I層中的復(fù)合，從而使得空穴的書散長度及μζ乘積值下降，即電池的衰減主要由I層所致。

　　⑤在AM1持續(xù)光照下,轉(zhuǎn)換效率在前48h下降快,之后變化較小。

    ⑥光誘導(dǎo)使電池性能衰減嚴(yán)重是發(fā)生在開路狀態(tài)的情況下。

　　⑦光誘導(dǎo)的結(jié)果使電池的填充因子下降快，而電池的開路電壓相對(duì)地衰減較小。

    ⑧在150 ~ 200C的退火條件下，太陽電池的性能可以重新恢復(fù)。

　?、崴p程度與I層厚度有關(guān)，當(dāng)小于300nm時(shí)，太陽電池性能相對(duì)比較穩(wěn)定。

　?、馓栯姵毓ぷ髟诟邷?高于90C)時(shí)其光致衰減較小，有可能是缺陷的產(chǎn)生與退火作用相平衡所致。

　　⑾太陽電池受光照之后其結(jié)品質(zhì)因子增大。

　?、性?層中加人少量(約1x 10*)硼或磷均可改善太陽電池的穩(wěn)定性，但必須”格控明，

　　否則可能導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率的下降，

　?、?ITO/P-I-N/SS太陽電池與TO/N-L-P/SS太陽電池相比，前者的光致衰減較羽。

　　綜合以上分析，可以把太陽電池衰減的原因歸納為兩點(diǎn):一是1層中帶隙中心附近費(fèi)不能級(jí)的移動(dòng):二是1層中帶院下半部態(tài)密度的增加。

　　從結(jié)構(gòu)上講，一種觀點(diǎn)認(rèn)為光照后非晶硅膜的弱鍵斷裂或重新組合，從而產(chǎn)生懸掛鍵，因此測(cè)量到了非晶硅太陽電池的光致衰減。另種觀點(diǎn)則認(rèn)為，在非晶硅網(wǎng)絡(luò)中已存在了缺陷，光照或退火的作用僅改變了它們的電荷狀態(tài)或鍵的構(gòu)成。但無論何種模型都認(rèn)為，摻硼可削弱非晶硅網(wǎng)絡(luò)中的缺陷。

　　通過廣泛的研究可以肯定，如果要控制非晶硅中的S-W效應(yīng)為弱，使用收集長度比1層厚度大得多的材料是一個(gè)主要途徑。這樣，非晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的光照衰減會(huì)降至低，然而需要指出的是，非晶硅太陽電池的光致衰減過程并非僅由S-W效應(yīng)所引起，還有其他因素，仍需進(jìn)行深入的研究。

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