在實(shí)際生產(chǎn)太陽(yáng)能電池板過(guò)程中，大多使用較廉價(jià)的NaOH稀溶液(濃度為1% )作為腐蝕劑，屬蝕液溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中適量添加醇類(常用乙醇或異丙醇)作為絡(luò)合劑。由于腐蝕過(guò)程的隨機(jī)性，四面方錐體的大小并不相同，通常高度控制在3一6μm。

　　多晶硅表面的晶向是隨意分布的因此堿性溶液的各向異性腐蝕現(xiàn)象對(duì)于多晶硅來(lái)說(shuō)效果并不理想,而且由于堿性腐蝕液對(duì)多晶硅表面不同晶粒之間的反應(yīng)速度不一樣，會(huì)產(chǎn)生臺(tái)階和裂縫，不能形成均勻的絨面。

　　通過(guò)對(duì)多晶硅太陽(yáng)能電池板絨面制備方法的大量研究，近幾年發(fā)展的幾種方法已經(jīng)開(kāi)始應(yīng)用到大規(guī)模生產(chǎn)中,主要有酸腐蝕法、活性離子刻蝕法、機(jī)械刻槽法和激光刻槽法等。

　　酸腐蝕法的工作原理也是利用某此化學(xué)腐蝕劑對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕而形成絨面，常用定比例的HF+HNO3的酸混合溶液。這種腐蝕方法一般對(duì)硅的不同晶面有相同的腐蝕速度，因此又稱為各向同性腐蝕法。但在多晶硅制絨的腐蝕過(guò)程中，要將溫度控制在5～10℃的低溫，使這種各向同性的腐蝕速度降低,但能在切片造成的表面損傷(微裂紋)方向上保持較高的腐蝕速度,從而將表面的損傷加深、加寬形成絨面。一般多晶硅晶向是任意分布的,經(jīng)過(guò)腐蝕后，在表面會(huì)出現(xiàn)不規(guī)則的巴坑形狀。這些凹坑像小蟲(chóng)一樣密布于電池表面，顯微鏡下看來(lái)，好像是一個(gè)個(gè)橢圓的小球面，也可稱其為“絨面”，多晶硅絨面形貌。

　　由于利用酸溶液制作多晶硅絨面的成本比較低，易于工業(yè)化生產(chǎn)，而且可以將去除損傷層制作絨而和清洗等幾道工序結(jié)合，通過(guò)在線式酸制絨設(shè)備次完成，所以近年來(lái)開(kāi)發(fā)的釀制絨清洗機(jī)十分受市場(chǎng)歡迎。

　　活性離子刻蝕法是采用無(wú)應(yīng)力的干法刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)在多晶硅表面織構(gòu)化的，該方法為一種無(wú)掩膠腐蝕工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)射頻功率、氣體流量及反應(yīng)壓力等來(lái)控制形成多晶硅表面類全字塔結(jié)構(gòu)的速度及絨面高度等。所形成的絨面反射率特別低，在450～1000um 光譜范圍內(nèi)的反射率可小于2%。僅從光學(xué)的角度來(lái)看，是一種理想的方法，但存在的問(wèn)題是硅表面損傷嚴(yán)重，電池的開(kāi)路電壓和填充因子出現(xiàn)下降。

　　機(jī)械刻槽法是在多晶硅表面用多個(gè)刀片同時(shí)刻出V形槽來(lái)減少光學(xué)反射。

　　激光刻槽法則是利用激光來(lái)熔化硅,形成表面織構(gòu)以達(dá)到陷光的目的。這種方法可在多晶硅表面制作倒金字塔結(jié)構(gòu)，在500 ～ 900nm光譜范圍內(nèi)，反射率為4% ～6%，與表面制作雙層減反射膜相當(dāng)。而在(100)面單晶硅化學(xué)制作絨面的反射率為11%。用激光制作絨面比在光滑面鍍雙層減反射膜層(ZnS/MgF2)電池的短路電流要提高4%左右，這主要是長(zhǎng)波光(波長(zhǎng)大于80mm)科射進(jìn)入電池的原因。激光制作絨面存在的問(wèn)題是，在刻蝕中表面會(huì)造成報(bào)傷，同時(shí)也引入了一些雜質(zhì)，要通過(guò)化學(xué)處理去除表面損傷層。 這種方法制作的太陽(yáng)能電池板通常短路電流較高但開(kāi)路電壓不太高，主要原因是電池表面積增加，使總復(fù)合率有所提高。

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