非晶硅(amorphous silicon. a-Si) 薄膜太陽(yáng)能電池板

　　在晶體硅太陽(yáng)能電池板中，真正起發(fā)電作用的僅是硅片表面附近的很少部分，離表面較遠(yuǎn)部分并不直接起發(fā)電作用，為了盡量節(jié)約硅材料，有效降低生產(chǎn)成本，晶體硅太陽(yáng)電池正向薄片化方向發(fā)展。目前硅片厚度已降至200um以下;另一方面，就是向薄膜化方向發(fā)展，非晶硅薄膜太陽(yáng)電池是早實(shí)現(xiàn)進(jìn)入市場(chǎng)的商業(yè)化薄膜太陽(yáng)能電池板。

　　非晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池板，是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來(lái)發(fā)電。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用輝光放電位其分解，借助化學(xué)反應(yīng)在襯底上堆積硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結(jié)構(gòu)。晶體硅是每一個(gè)硅原子通過(guò)共價(jià)鍵與其他4個(gè)硅原子鍵合成四面體，摻氫非晶硅僅以共價(jià)鍵與其他3個(gè)相鄰的硅原子相鍵合，面硅的第4個(gè)價(jià)原子與氫原子鍵合。在摻氧非晶硅中，化合氫的含量用原子百分?jǐn)?shù)表示占10%左右。這些復(fù)原子會(huì)直接對(duì)懸掛鍵(dangling bond)缺陷結(jié)合，減少對(duì)電子的捕獲，以達(dá)到非晶硅的低缺陷密度，使其能夠作為太陽(yáng)能電池板應(yīng)用。下面，從應(yīng)用者視角，有必要關(guān)注下面的內(nèi)容：

　　非晶硅太陽(yáng)電池與晶體硅太陽(yáng)電池的不同點(diǎn)非晶體太陽(yáng)電池基本也是P-N結(jié)構(gòu)，其工作與晶體硅太陽(yáng)電池沒(méi)有大的區(qū)別。

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